En pleno apogeo del MWC 2019 estamos recibiendo bastante información sobre el del próximo miembro de la familia Note del fabricante coreano. Ya os hemos hablado de los últimos detalles sobre la cámara del Samsung Galaxy Note 10, y ahora Samsung ha aprovechado el marco idílico del Mobile World Congress para presentar un nuevo componente que muy probablemente incorpore el Samsung Galaxy Note 10 para que sea más rápido que nunca.

Una de las grandes novedades que vimos en la presentación del Samsung Galaxy S10, Samsung Galaxy S10+ y Samsung Galaxy S10e fueron sus opciones de almacenamiento. Incluso hay un modelo con 1 TB de capacidad con una velocidad endiablada. Pero poco podrá hacer contra el Samsung Galaxy Note 10 y su nuevo chip de almacenamiento

Primeros detalles sobre la pantalla del Samsung Galaxy Note 10

Más que nada porque la firma asiática acaba de presentar una memoria interna aún más impresionante: la primera solución de almacenamiento flash universal eUFS 3.0 de 512 GB, que promete una velocidad de lectura y escritura nunca vista hasta ahora en un smartphone.

Velocidad de la memoria del Samsung Galaxy Note 10

El primer chip de eUFS 3.0 podría incorporarse el Samsung Galaxy Note 10

Cuando el fabricante anunció en enero su nuevo almacenamiento interno, utilizaba tecnología eUF 2.1, pero este estándar eUFS 3.0, que no solo llegaría al Samsung Galaxy Note 10, sino que muy probablemente también lo acabe integrando el Samsung Galaxy Fold, ofrece unas velocidades de lectura secuenciales de 2.100 MB por segundo, además dee una velocidad de escritura que alcanza los 410 MB por segundo.

Una cámara en el S-Pen, la forma de evitar el notch en el Samsung Galaxy Note 10

Y es que, tal como indica la compañía asiática, los teléfonos inteligentes del futuro serán capaces de pasar una película en calidad Full HD a un ordenador en tan solo tres segundos.

Memoria interna del Samsung Galaxy Note 10

Como podréis comprobar en la tabla publicada por la firma coreana en su blog oficial, la diferencia respecto a la memoria interna presentada en enero de este mismo mes es notable. Hay que tener en cuenta que estas tasas de velocidad de lectura y escritura son teóricas, realmente sea un poco inferior, pero esto permitirá que los dispositivos que cuenten con estos nuevos chips, entre ellos el Samsung Galaxy Note 10, sean notablemente más rápido.

Por otro lado, Samsung ha confirmado que la producción en cadena del chip de 512 GB con tecnología eUFS 3.0 ya está en marcha, mientras que los modelos con 1 TB y 256 GB de capacidad comenzarían a fabricarse a lo largo de la segunda mitad del año. Una fecha que cuadra con la presentación del Samsung Galaxy Note 10, que muy probablemente sea presentado en agosto de 2019 para adelantarse a la IFA 2019.

Y ojo, que como os hemos indicado al principio de este artículo, el nuevo teléfono plegable de Samsung podría unirse al Samsung Galaxy Note 10 integrando estas nuevas memorias flash de la firma con sede en Seúl. Sabemos que este modelo llegará el 26 de abril, pero la compañía ha programado una rueda de prensa relacionadas con el Galaxy Fold un par de semanas antes. ¿Anunciará que este modelo también contará con estos nuevos y potentes chips de almacenamiento?